薄膜淀积系统_998059382_权利要求书_专利查询_专利

发布者:admin 发布时间:2019-10-26 03:29 浏览次数:

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  一个流量控制器,它在处理舱中控制蒸汽从蒸发器至热基材的流动,其中所述热基材具有这样的反应表面以致薄膜将在该表面上形成。

  借助通信联络与流量计和流量控制器耦合的处理器,该处理器是编程的以便控制根据实测蒸汽流量支配通过输送导管的蒸汽流量的流量控制器。

  6.根据权利要求2的装置,其中所述流量计包括一对压力传感器,所述每个压力传感器与层流单元的开口端一一对准。

  8.根据权利要求1的装置,其中流量控制器是借助通信联络与所述流量计耦合的比例控制阀。

  9.根据权利要求1的装置,进一步包括向分配器供应母料的储舱,所述蒸发器包括一个使来自该储舱的母料一经分配就汽化的热表面。

  11.根据权利要求1的装置,进一步包括至少一个置于处理舱中的压力传感器,所述压力传感器借助通信联络与所述处理器耦合。

  12.根据权利要求2的装置,其中所述输送导管包括被置于处理舱中的出口,并且所述装置进一步包括:

  把处理舱分为上游部分和下游部分的喷头,所述出口在上游部分,而所述的基材夹盘在下游部分;

  13.根据权利要求1的装置,其中所述舱室包括舱室外壳和舱室外壳内的处理空间,基材的温度高于舱室外壳的内表面温度。

  14.根据权利要求12的装置,其中上游压力传感器和下游压力传感器两者都借助通信联络与处理器耦合。

  16.根据权利要求10的装置,进一步包括至少一个定位在汽化舱中的压力传感器,在汽化舱中的压力传感器借助通信联络与所述的处理器耦合。

  18.根据权利要求1的装置,其中位于处理舱中的基材夹盘被连接到直流或交流电源上。

  19.根据权利要求1的装置,进一步包括位于处理舱中的基材夹盘和升降装置,该升降装置受处理器控制,而基材夹盘可以借助该升降装置升高和下降。

  20.根据权利要求1的装置,其中所述处理器与压力传感器相连并且被编程以便控制实测蒸汽压力的函数和蒸发器产生蒸汽的速率。

  借助通信联络与所述流量计耦合的处理器,所述处理器是编程的,以便作为来自蒸发器的实测气体流量的函数实施控制。

  22.一种用于在处理舱中控制化学气相淀积的系统,该系统包括有蒸发器位于其中的汽化舱、连接所述汽化舱和所述处理舱的输送导管、位置适合测量从汽化舱流入处理舱的气体流量的流量计,以及位置适合控制来自汽化舱的气体流量的流量控制器,

  升降装置控制模块,该模块按照处理模块控制器的指令控制升降装置在处理舱内的升降。

  23.根据权利要求22的系统,其中处理模块控制器执行主控程序,该程序准备晶片加工的处理舱、准备接收至少一个用于加工的晶片、在处理舱中接收晶片、对所述晶片实施加工、打开阀门以允许从处理舱中取出所述晶片,以及在取出晶片后完成各种清洗功能。

  24.根据权利要求23的系统,进一步包括在处理模块控制器上执行的蒸发器子进程,该蒸发器子进程检测横跨诸压力控制模块的压降并且反馈给蒸发器以便升高汽化舱中的压力。

  25.根据权利要求23的系统,进一步包括在处理模块控制器上执行的蒸汽相流量控制子进程,该蒸汽相流量控制子进程监视至少两个压力控制模块之间的压力差,并且确定被监视的压力是否足以适合处理舱的操作,如果被监视的压力太低,则向至少一个流量控制模块发信号以提高流量控制,如果被监视的压力太高,则向至少一个流量控制模块发信号以降低流量控制。

  26.根据权利要求25的系统,其中蒸汽相流量控制子进程进一步设置反应物的气体流速,以便维持进入处理舱的蒸汽流量。

  27.根据权利要求23的系统,进一步包括在处理模块控制器上执行的处理舱压力控制子进程,该处理舱压力控制子进程测量处理舱内的压力,并且控制节流阀以便把处理压力维持在某个设定压力下。

  第一组处理系统,每个被耦合的处理系统都从第一运输模块接收晶片、然后处理收到的晶片,并且在完成处理时把晶片送回第一运输模块。

  第二组处理系统,每个被耦合的处理系统都从第二运输模块接收晶片、然后处理收到的晶片,并且在完成处理时把晶片送回第二运输模块。

  30.根据权利要求28的群集式加工装置,其中第一组处理系统和第一运输模块是受第一群集式加工控制器控制的。

  31.根据权利要求29的群集式加工装置,其中第一组处理系统和第一运输模块是受第一群集式加工控制器控制的,第二组处理系统和第二运输模块是受第二群集式加工控制器控制的,而第一和第二群集式加工控制器是受工厂自动化控制器控制的。

  33.根据权利要求32的方法,其中母料以作为实测压力的函数设定的速率从储舱分配到蒸发器上。

  34.根据权利要求33的方法,其中汽化舱与处理舱之间的蒸汽流量是借助位于层流单元对置端的一对电容测压计测量的。

  36.根据权利要求32的方法,其中处理舱中的蒸汽压力是在喷头相对侧测定的。

  37.根据权利要求36的方法,进一步包括通过调整位于喷头通道旁边的阀门的开度来控制通过这些通道的蒸汽流量的步骤。

  39.根据权利要求33的方法,其中蒸发器所产生的蒸汽通过处理舱时本质上不被稀释。

  40.根据权利要求32的方法,其中进一步包括在半导体基材的表面上制作集成电路。

  C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制

  C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆

  C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积


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